ejercicio

en esta clase realizamos un taller de aparejas donde teníamos que desarrollar IB, la IC, la IE y la VCE de un transistor BJT de Silicio.
los ejercicios estuvieron interesantes ya que fue mas interesante poder tener mas información del tema y mas actividades para poder entenderlo mejor.

amplificador

en esta clse empezamos arelizar el amplificador de proyecto final el cual consistia en montar unos elemmntos en la protoboard los cuales consistian en un amplificador  .

bjt

en esta clase vimos y realizamos un ejercicio de bjt en cual debiamos hallar  IB, la IC, la IE y la VCE de un transistor BJT.
VRB = IB* RB
VRE = IE * RE
VRC = IC * RC
IE = (β + 1) * IB
IC = β * IB (IC es aproximadamente = a IE).

polarizacion

en la clase seguimos viendo el transistor bjt .
corriente emisor=corriente colector
ie=ic+ib
vce=vcc/2=volector/2=24v/2=12v
vfb=voltaje de la fuente base
vrb=voltaje de la resistencia de la base
v1=voltaje transistor
vre=voltaje de la resistencia del emisor
vfb=vtyh=coltaje thevenin
rb=rth=resistencia thevenin

instruccion y contruccion y operacion del transistor

en esta clase vimos  el bjt el cual consta de un emisor una base y un colector el cual tiene positivo negativo , positivo o negativo positivo ,negativo , adema vimos que el fet es mas veloz y consume menos energía tambien esta clase vimos en un  taller la estructura del amplificador y como realizar el montaje en la proto board para el proyecto entrégale   .

ejercicio

1.un diodo semiconductor se encuentra conectado en serie con una resistencia de 500 OH a una fuente de voltaje de 1V ¿ encontrar la corriente en el diodo?
V=1v
R=500oh
ID=?
1v-0.7-id*500=0
id500oh.-1v+0.7v
(-1)-ID=(-1+0.7)/(500)(-1)
ID=0.3/500
ID=6x10-4=0.0006

enlaces

un enlace de átomos es reforzado por compartir electrones es así como a un enlace covalente se le dice :
4=tetravalente
3=trivalente
5=pentavalente
los materiales extrinsecos son aquellos que han sido preparados con una adición de impurezas a esto se le llama dopado. los materiales de tipo p son cuando se le agregan impurezas al cristal puro con átomo trivalente tales como el boro, galio e indio
los materiales de tipo m son creados al adicionar átomos con estructura pentavalente como lo son el fósforo , antimonio y el arsénico aqui se ven los portadores mayoritarios  y minoritarios los cuales en el material tipo m los electrones son mas que los huecos y en material tipo p los huecos son mas que los electrones .
dioso semiconductor es el primer dispositivo electrónico en cual puede ser creado con materiales tipo m y tipo p .